本報訊 記者陳炳欣報道：近期有關IGBT缺貨，價格翻漲的消息，不時被爆出。從前年缺芯潮以來，IGBT作為功率半導體的主要產品之一就呈現供貨緊缺的狀態，一直延續至今。甚至當其他大多數芯片產品因供需逆轉庫存高企之際，IGBT的供應狀況依然沒有好轉。

　　富昌電子2023年2月17日發布的《2023Q1芯片市場行情報告》數據顯示，意法半導體、Microsemi、英飛凌等功率半導體大廠的IGBT交貨期與2022年第四季度的交期基本保持一致，最長為54周，依舊緊張。據報道，太陽能電池廠商茂迪董事長葉正賢在談到IGBT缺貨情況時表示：“不是價格多高的問題，而是根本買不到。”

　　IGBT是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通電阻的優點，輸入阻抗、高耐壓、低導通壓降，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統，如新能源汽車、變頻器、開關電源、照明電路、交流電機等。

　　芯謀研究總監李國強分析指出：“本輪IGBT缺貨的主要原因是隨著新能源汽車興起，對高電壓需求大增，IGBT成為產業發展焦點。”據悉，一輛電動車使用的IGBT數量高達上百顆，是傳統燃油車的七到十倍。與此同時，車用IGBT廠商如英飛凌、安森美等擴產并不及時，不足以滿足市場增加的需求。此外，在光伏發電、工業逆變器等領域，IGBT的使用量也持續攀高。李國強預計本輪IGBT缺貨仍將持續一段時間，至少到明年上半年供應情況仍然會不斷出現逆轉。

　　隨著IGBT供需持續緊張，有關寬禁帶半導體材料碳化硅替代硅基IGBT的話題也在不斷升溫。TrendForce集邦咨詢預測，至2026年，碳化硅功率器件市場產值可望達到53.3億美元。主流應用仍倚重電動汽車及再生能源，電動汽車產值可達39.8億美元，年復合增長率約為38%；再生能源達4.1億美元，年復合增長率約為19%。

　　對此，英飛凌科技高級副總裁、汽車電子事業部大中華區負責人曹彥飛表示，碳化硅發展到現在，尤其在高壓比如800V的主逆變器上面有越來越多的客戶在布局和立項。硅基器件如IGBT，將與碳化硅器件長期并存。當前硅基器件的占比仍然較高，但是碳化硅的中長期發展，仍然被業內人士看好。