【ITBEAR科技資訊】2月29日消息，據(jù)消息源@Tech_Reve近日透露，高通公司今年發(fā)布的旗艦芯片驍龍8 Gen 4已全面采用臺積電的3nm工藝進行制造。然而，對于明年即將推出的驍龍8 Gen 5，高通計劃實施多晶圓廠策略。

過去，三星曾是高通驍龍8 Gen 1芯片的制造商，但因過熱和效率問題，高通決定轉向臺積電，自此，臺積電便成為了高通的獨家代工合作伙伴。不過，這種獨家代工的局面在明年有望發(fā)生轉變。

據(jù)悉，常規(guī)的驍龍8 Gen 5芯片仍將繼續(xù)由臺積電使用其3nm工藝N3E進行制造。但值得關注的是，專為三星旗艦Galaxy S26系列打造的驍龍8 Gen 5芯片將采用三星的SF2P工藝。與三星此前的SF3工藝相比，SF2工藝在相同頻率和復雜度下能提升25%的功耗效率，相同功耗和復雜度下性能提升12%，而在相同性能和復雜度下，芯片面積能減少5%。

為了進一步提升SF2工藝的競爭力，三星還將提供一系列先進的IP組合，涵蓋LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6以及112G SerDes等技術。而SF2P作為在SF2工藝基礎上的進一步優(yōu)化，特別針對高性能計算(HPC)進行了調整，預計在性能方面會有更為顯著的改進。

此外，根據(jù)此前的消息，高通驍龍8 Gen 5有望采用名為“Pegasus”的核心設計，采用“2+6”的集群設計方案，并搭配Slice GPU架構，這一改變有望進一步提升高通芯片的性能和效率。