本報訊 記者許子皓報道：8月30日，在“2022臺積電技術(shù)論壇”上，臺積電CEO魏哲家表示，臺積電的3納米芯片即將量產(chǎn)，但并不是大家此前預(yù)想的GAA架構(gòu)，而是選擇延用FinFET架構(gòu)。至于2納米芯片，可以保證會在2025年量產(chǎn)。

　　魏哲家指出，臺積電3納米的研發(fā)依舊困難重重，工程能力欠缺，正在努力加快量產(chǎn)。最終決定采用FinFET架構(gòu)的主要原因是既要實用，還要低成本，這樣才能更好地滿足客戶產(chǎn)品需求，也能保證穩(wěn)定的供應(yīng)能力。而2納米將用新的納米片（nanosheet）技術(shù)，在相同功耗下，相比3納米，速度將增快10%~15%，而在相同速度下，功耗則降低25%~30%，成為電晶體密度最小、效能最佳的先進制程技術(shù)。

　　會上，魏哲家還分享了他觀察到的目前半導(dǎo)體制造的三大改變：一是過去的電晶體制造技術(shù)已經(jīng)不能滿足需求，需要向3D IC堆疊的方向發(fā)展。二是所有應(yīng)用產(chǎn)品中，半導(dǎo)體含量都在持續(xù)增加。目前，每年汽車內(nèi)的半導(dǎo)體含量都增加了近15%。以前臺積電只是在先進制程研發(fā)方面的投資比較多，但隨著CMOS、RF等技術(shù)不斷進步，現(xiàn)在成熟制程也需要更多投資，兩者一樣重要。三是供應(yīng)鏈管理是最重要的因素，一個全球化有效率的供應(yīng)系統(tǒng)時代已經(jīng)過去，所有成本都會急速增加，臺積電將與客戶緊密合作降低風(fēng)險。